E3M0280090D - Cree/Wolfspeed

Artikelnummer	E3M0280090D
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 15V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 600V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	54W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
E3M0065090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M	Einzelheiten
E3M0120090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC	Einzelheiten
E3M0280090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 280 MOHM G3 SIC	Einzelheiten