E3M0065090D - Cree/Wolfspeed

Artikelnummer	E3M0065090D
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	30.4nC @ 15V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 600V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
E3M0065090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M	Einzelheiten
E3M0120090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC	Einzelheiten
E3M0280090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 280 MOHM G3 SIC	Einzelheiten