E3M0065090D - Cree/Wolfspeed

Numéro d'article	E3M0065090D
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	30.4nC @ 15V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 600V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-3
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
E3M0065090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M	Détails
E3M0120090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC	Détails
E3M0280090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 280 MOHM G3 SIC	Détails