E3M0065090D Description détaillée
| Numéro d'article |
E3M0065090D |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
N-Channel |
| La technologie |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
900V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
84.5 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
30.4nC @ 15V |
| Vgs (Max) |
+18V, -8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
660pF @ 600V |
| FET Caractéristique |
- |
| Dissipation de puissance (Max) |
125W (Tc) |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur |
TO-247-3 |
| Paquet / cas |
TO-247-3 |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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