VS-GB50LP120N

VS-GB50LP120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza
VS-GB50LP120N
Fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descripción
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
465 pcs
Precio de referencia
USD 57.6113/pcs
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VS-GB50LP120N Descripción detallada

Número de pieza VS-GB50LP120N
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Potencia - Max 446W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A (Typ)
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 4.29nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivo del proveedor INT-A-PAK
Peso -
País de origen -

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