SI4403DDY-T1-GE3 Descripción detallada
Número de pieza |
SI4403DDY-T1-GE3 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
P-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
15.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
14 mOhm @ 9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
99nC @ 8V |
Vgs (Max) |
±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
3250pF @ 10V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
8-SOIC |
Paquete / caja |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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