SI4403DDY-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI4403DDY-T1-GE3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
15.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
1.8V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
14 mOhm @ 9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
99nC @ 8V |
Vgs (Max) |
±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3250pF @ 10V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
5W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
8-SOIC |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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