SI4403BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI4403BDY-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SI4403BDY-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 350µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

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