2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
2N7002E-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
167866 pcs
Precio de referencia
USD 0.1535/pcs
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2N7002E-T1-GE3 Descripción detallada

Número de pieza 2N7002E-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 240mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 21pF @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 250mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

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