| Artikelnummer | 2N7002E-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 240mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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,TO-226_straightlead.jpg "2N7000") |
2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | Einzelheiten |
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2N7000,126 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92 | Einzelheiten |
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | Einzelheiten |
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2N7000-D74Z | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | Einzelheiten |
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2N7000-D75Z | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | Einzelheiten |
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2N7000-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3 | Einzelheiten |
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2N7000BU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 | Einzelheiten |
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2N7000BU_T | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V TO92 | Einzelheiten |
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2N7000CSM | SEME-LAB | N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N7000G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | Einzelheiten |
