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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados › RN4987FE,LF(CB
RN4987FE,LF(CB

RN4987FE,LF(CB - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
RN4987FE,LF(CB
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
RN4987FE,LF(CB Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
529347 pcs
Precio de referencia
USD 0.0483/pcs
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RN4987FE,LF(CB Descripción detallada

Número de pieza RN4987FE,LF(CB
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 250MHz, 200MHz
Potencia - Max 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor ES6
Peso -
País de origen -

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