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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › RN4987FE,LF(CB
RN4987FE,LF(CB

RN4987FE,LF(CB - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
RN4987FE,LF(CB
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
RN4987FE,LF(CB Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
553571 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0483/pcs
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RN4987FE,LF(CB Descrizione dettagliata

Numero di parte RN4987FE,LF(CB
Stato parte Active
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz, 200MHz
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6
Peso -
Paese d'origine -

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