RN4981FE,LF(CT - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: RN4981FE,LF(CT
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Cantidad de stock: 3408910 pcs
Precio de referencia: USD 0.0483/pcs
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Número de pieza	RN4981FE,LF(CT
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	4.7 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)	500nA
Frecuencia - Transición	250MHz, 200MHz
Potencia - Max	100mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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