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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › RN4981FE,LF(CT
RN4981FE,LF(CT

RN4981FE,LF(CT - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN4981FE,LF(CT
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RN4981FE,LF(CT PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3408910 pcs
Referenzpreis
USD 0.0483/pcs
Unser Preis
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RN4981FE,LF(CT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN4981FE,LF(CT
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz, 200MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
RN4981,LF(CT RN4981,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Einzelheiten
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