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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados › RN1115MFV,L3F
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
RN1115MFV,L3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
RN1115MFV,L3F Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
20000 pcs
Precio de referencia
USD 0.0266/pcs
Nuestro precio
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RN1115MFV,L3F Descripción detallada

Número de pieza RN1115MFV,L3F
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 250MHz
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor VESM
Peso -
País de origen -

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