RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
RN1115MFV,L3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
RN1115MFV,L3F Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
20000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0266/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F Descrizione dettagliata

Numero di parte RN1115MFV,L3F
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore VESM
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER RN1115MFV,L3F