S4KW8C-4N - Semtech Corporation

Número de pieza	S4KW8C-4N
Estado de la pieza	Active
Configuración de Diodo	-
Tipo de diodo	-
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	8000V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo)	12A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	8V @ 12A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	2µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	4µA @ 8000V
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S4K	TSC	4.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers	Detalles
S4K M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Detalles
S4K R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Detalles
S4K V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Detalles
S4K V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Detalles
S4KW10C-5	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Detalles
S4KW10C-5D	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE	Detalles
S4KW10C-5N	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Detalles
S4KW10C-5P	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Detalles
S4KW12C-6	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Detalles