S4KW8C-4N - Semtech Corporation

Numéro d'article	S4KW8C-4N
État de la pièce	Active
Configuration de diode	-
Type de diode	-
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	8000V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	12A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	8V @ 12A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	2µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	4µA @ 8000V
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S4K	TSC	4.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers	Détails
S4K M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Détails
S4K R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Détails
S4K V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Détails
S4K V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Détails
S4KW10C-5	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Détails
S4KW10C-5D	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE	Détails
S4KW10C-5N	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Détails
S4KW10C-5P	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Détails
S4KW12C-6	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Détails