S4K V6G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza	S4K V6G
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Corriente - promedio rectificado (Io)	4A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	-
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	1.5µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	100µA @ 800V
Capacitancia @ Vr, F	60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S4K	TSC	4.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers	Detalles
S4K M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Detalles
S4K R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Detalles
S4K V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Detalles
S4K V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Detalles
S4KW10C-5	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Detalles
S4KW10C-5D	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE	Detalles
S4KW10C-5N	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Detalles
S4KW10C-5P	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Detalles
S4KW12C-6	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Detalles