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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › NVD5802NT4G
NVD5802NT4G

NVD5802NT4G - ON Semiconductor

Número de pieza
NVD5802NT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
NVD5802NT4G Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
28420 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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NVD5802NT4G Descripción detallada

Número de pieza NVD5802NT4G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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