NVD5117PLT4G-VF01 - ON Semiconductor

Número de pieza: NVD5117PLT4G-VF01
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 1.0692/pcs
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Número de pieza	NVD5117PLT4G-VF01
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Ta), 61A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4800pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	4.1W (Ta), 118W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 29A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK-3
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	NVD5117PLT4G-VF01	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 61A DPAK	Detalles