品番 | NVD5802NT4G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16.4A (Ta), 101A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5300pF @ 12V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
重量 | - |
原産国 | - |