FQU13N06LTU-WS

FQU13N06LTU-WS - ON Semiconductor

Número de pieza
FQU13N06LTU-WS
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
149680 pcs
Precio de referencia
USD 1.1/pcs
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FQU13N06LTU-WS Descripción detallada

Número de pieza FQU13N06LTU-WS
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
País de origen -

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