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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › FQU13N10LTU
FQU13N10LTU

FQU13N10LTU - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza
FQU13N10LTU
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
FQU13N10LTU Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4547 pcs
Precio de referencia
USD 0.65/pcs
Nuestro precio
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FQU13N10LTU Descripción detallada

Número de pieza FQU13N10LTU
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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