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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › FQU10N20TU
FQU10N20TU

FQU10N20TU - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza
FQU10N20TU
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
FQU10N20TU Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
FQU10N20TU.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4428 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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FQU10N20TU Descripción detallada

Número de pieza FQU10N20TU
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
País de origen -

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