FQU13N06LTU-WS - ON Semiconductor

Numéro d'article	FQU13N06LTU-WS
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	I-PAK
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FQU13N06L	FSC	FQU13N06L FSC TO-251 New Original Stocks	Détails
FQU13N06LTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK	Détails
FQU13N06LTU-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK	Détails
FQU13N06LTU_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK	Détails
FQU13N06TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 10A IPAK	Détails
FQU13N10L	FSC	FQU13N10L FSC TO-251 New Original Stocks	Détails
FQU13N10LTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK	Détails
FQU13N10TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK	Détails