PSMN6R0-25YLDX Descripción detallada
| Número de pieza |
PSMN6R0-25YLDX |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
61A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
10.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
705pF @ 12V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Característica FET |
Schottky Diode (Body) |
| Disipación de potencia (Máx) |
43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
6.75 mOhm @ 15A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
LFPAK56, Power-SO8 |
| Paquete / caja |
SC-100, SOT-669 |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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