PSMN6R3-120PS Descripción detallada
Número de pieza |
PSMN6R3-120PS |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
120V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
70A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
207.1nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
11384pF @ 60V |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
405W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
6.7 mOhm @ 25A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-220AB |
Paquete / caja |
TO-220-3 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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