| Artikelnummer | PSMN6R0-25YLDX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 61A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 705pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Body) |
| Verlustleistung (Max) | 43W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.75 mOhm @ 15A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PSMN6R0-25YLB,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN6R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | Einzelheiten |
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PSMN6R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN6R0-30YLB,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN6R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN6R1-25MLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | Einzelheiten |
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PSMN6R1-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK | Einzelheiten |
_SOT226%20Pkg.jpg "PSMN6R3-120ESQ") |
PSMN6R3-120ESQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK | Einzelheiten |
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PSMN6R3-120PS | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 120V 70A TO-220 | Einzelheiten |
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PSMN6R4-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V MLFP | Einzelheiten |
