APTM120TDU57PG - Microsemi Corporation

Número de pieza: APTM120TDU57PG
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: APTM120TDU57PG Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 172 pcs
Precio de referencia: USD 150.8458/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	APTM120TDU57PG
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	187nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5155pF @ 25V
Potencia - Max	390W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	SP6
Paquete de dispositivo del proveedor	SP6-P
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
APTM100A12STG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W	Detalles
APTM100A13DG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6	Detalles
APTM100A13SCG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6	Detalles
APTM100A13SG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6	Detalles
APTM100A18FTG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4	Detalles
APTM100A23SCTG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4	Detalles
APTM100A23STG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4	Detalles
APTM100A40FT1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1	Detalles
APTM100A46FT1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1	Detalles
APTM100AM90FG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6	Detalles