APTM100A12STG

APTM100A12STG - Microsemi Corporation

Número de pieza
APTM100A12STG
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4123 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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APTM100A12STG Descripción detallada

Número de pieza APTM100A12STG
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 616nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 17400pF @ 25V
Potencia - Max 1250W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP3
Paquete de dispositivo del proveedor SP3
Peso -
País de origen -

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