APTM10DSKM09T3G Descripción detallada
Número de pieza |
APTM10DSKM09T3G |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
2 N-Channel (Dual) |
Característica FET |
Standard |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
139A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
10 mOhm @ 69.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 2.5mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
350nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
9875pF @ 25V |
Potencia - Max |
390W |
Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Chassis Mount |
Paquete / caja |
SP3 |
Paquete de dispositivo del proveedor |
SP3 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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