APTM100H35FT3G - Microsemi Corporation

Número de pieza: APTM100H35FT3G
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 100.0764/pcs
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Número de pieza	APTM100H35FT3G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	186nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Potencia - Max	390W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	SP3
Paquete de dispositivo del proveedor	SP3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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