| Número de pieza | APT45GR65B2DU30 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 118A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 224A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Potencia - Max | 543W |
| Conmutación de energía | - |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 203nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 15ns/100ns |
| Condición de prueba | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 80ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Detalles |
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APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Detalles |
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APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Detalles |
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APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Detalles |
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APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Detalles |
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APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Detalles |
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APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Detalles |
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APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Detalles |
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APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Detalles |
