APT45GR65B2DU30 - Microsemi Corporation

Número de pieza: APT45GR65B2DU30
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 3539 pcs
Precio de referencia: USD 7.2453/pcs
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Número de pieza	APT45GR65B2DU30
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	NPT
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	650V
Current - Collector (Ic) (Max)	118A
Corriente - colector pulsado (Icm)	224A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 45A
Potencia - Max	543W
Conmutación de energía	-
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	203nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	15ns/100ns
Condición de prueba	433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	80ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor	T-MAX™ [B2]
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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APT45GR65B	Microsemi Corporation	IGBT 650V 92A 357W TO-247	Detalles
APT45GR65B2DU30	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Detalles
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APT45GR65SSCD10	Microsemi Corporation	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Detalles
APT45M100J	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227	Detalles