| Número de pieza | APT15GP60BG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 56A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 65A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
| Potencia - Max | 250W |
| Conmutación de energía | 130µJ (on), 121µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 55nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 8ns/29ns |
| Condición de prueba | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Detalles |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Detalles |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Detalles |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Detalles |
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APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Detalles |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Detalles |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Detalles |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Detalles |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Detalles |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Detalles |
