APT15GP60BG - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT15GP60BG
État de la pièce	Not For New Designs
Type d'IGBT	PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	56A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	65A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 15A
Puissance - Max	250W
Échange d'énergie	130µJ (on), 121µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	55nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	8ns/29ns
Condition de test	400V, 15A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3
Package de périphérique fournisseur	TO-247 [B]
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	Détails
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	Détails
APT10021JFLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	Détails
APT10021JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	Détails
APT1002RBN	APT	APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks	Détails
APT1002RBNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD	Détails
APT10035B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	Détails
APT10035JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	Détails
APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	Détails