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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › APT11N80BC3G
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G - Microsemi Corporation

Número de pieza
APT11N80BC3G
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
APT11N80BC3G Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
227 pcs
Precio de referencia
USD 6.36/pcs
Nuestro precio
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APT11N80BC3G Descripción detallada

Número de pieza APT11N80BC3G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 680µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 7.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247 [B]
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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