| Numéro d'article | APT11N80BC3G |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 800V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Détails |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Détails |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Détails |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Détails |
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APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Détails |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Détails |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Détails |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Détails |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Détails |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Détails |
