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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IPP11N03LA
IPP11N03LA

IPP11N03LA - Infineon Technologies

Número de pieza
IPP11N03LA
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPP11N03LA Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IPP11N03LA.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3500 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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IPP11N03LA Descripción detallada

Número de pieza IPP11N03LA
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1358pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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