| Artikelnummer | IPP11N03LA |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1358pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 52W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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IPP100N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | Einzelheiten |
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IPP100N04S204AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | Einzelheiten |
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IPP100N04S2L03AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | Einzelheiten |
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IPP100N06S2L05AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 | Einzelheiten |
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