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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPP11N03LA
IPP11N03LA

IPP11N03LA - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPP11N03LA
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPP11N03LA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPP11N03LA.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4236 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IPP11N03LA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPP11N03LA
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1358pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 52W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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