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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IPP100N06S2L05AKSA2
IPP100N06S2L05AKSA2

IPP100N06S2L05AKSA2 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPP100N06S2L05AKSA2
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPP100N06S2L05AKSA2 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IPP100N06S2L05AKSA2.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
19625 pcs
Precio de referencia
USD 1.3396/pcs
Nuestro precio
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IPP100N06S2L05AKSA2 Descripción detallada

Número de pieza IPP100N06S2L05AKSA2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5660pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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