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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › BSZ0902NSI
BSZ0902NSI

BSZ0902NSI - Infineon Technologies

Número de pieza
BSZ0902NSI
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
BSZ0902NSI Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
62423 pcs
Precio de referencia
USD 0.4266/pcs
Nuestro precio
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BSZ0902NSI Descripción detallada

Número de pieza BSZ0902NSI
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-FL
Paquete / caja 8-PowerTDFN
Peso -
País de origen -

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