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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › BSZ0902NSI
BSZ0902NSI

BSZ0902NSI - Infineon Technologies

Numero di parte
BSZ0902NSI
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSZ0902NSI Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
61650 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.4266/pcs
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BSZ0902NSI Descrizione dettagliata

Numero di parte BSZ0902NSI
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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