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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › FDS2170N7
FDS2170N7

FDS2170N7 - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza
FDS2170N7
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
FDS2170N7 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
FDS2170N7.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3608 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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FDS2170N7 Descripción detallada

Número de pieza FDS2170N7
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1292pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 128 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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