FDS2070N3 - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza	FDS2070N3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.1A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1884pF @ 75V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78 mOhm @ 4.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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FDS2070N3	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC	Detalles
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