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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › FDS2170N7
FDS2170N7

FDS2170N7 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FDS2170N7
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FDS2170N7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
FDS2170N7.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4198 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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FDS2170N7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FDS2170N7
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1292pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 128 mOhm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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