FDS2070N7 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FDS2070N7
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1884pF @ 75V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	78 mOhm @ 4.1A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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FDS2070N3	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC	Einzelheiten
FDS2070N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC	Einzelheiten
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