ZXMN10B08E6TA - Diodes Incorporated

Número de pieza: ZXMN10B08E6TA
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 83571 pcs
Precio de referencia: USD 0.3185/pcs
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Número de pieza	ZXMN10B08E6TA
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.6A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.3V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	497pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-26
Paquete / caja	SOT-23-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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