ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA - Diodes Incorporated

부품 번호
ZXMN10B08E6TA
제조사
Diodes Incorporated
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
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84270 pcs
참고 가격
USD 0.3185/pcs
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ZXMN10B08E6TA 상세 설명

부품 번호 ZXMN10B08E6TA
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.3V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 9.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 497pF @ 50V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1.1W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 1.6A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 SOT-26
패키지 / 케이스 SOT-23-6
무게 -
원산지 -

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