HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza
HBDM60V600W-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
236340 pcs
Precio de referencia
USD 0.1089/pcs
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HBDM60V600W-7 Descripción detallada

Número de pieza HBDM60V600W-7
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA, 600mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 65V, 60V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Potencia - Max 200mW
Frecuencia - Transición 100MHz
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-363
Peso -
País de origen -

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