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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › HBDM60V600W-7
HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
HBDM60V600W-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HBDM60V600W-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
238774 pcs
Referenzpreis
USD 0.1089/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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HBDM60V600W-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HBDM60V600W-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA, 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 65V, 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
HBDM60V600W HBDM60V600W DIODES COMPLEX TRANSISTOR ARRAY FOR BIPOLAR TRANSISTOR HALF H-BRIDGE MOTOR/ACTUATOR DRIVER Einzelheiten
HBDM60V600W-7 HBDM60V600W-7 Diodes Incorporated TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363 Einzelheiten